ОЗУ Samsung M435R1GB4PB1-CCP DDR5 SODIMM 8GB 6400
Суммарный объем памяти
8 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Емкость одного модуля
8 ГБ
Тип памяти
DDR5
Пропускная способность, Мб/с
51200
Тактовая частота, МГц
6400
Форм-фактор RAM
SO-DIMM
Радиатор
Нет
CAS Latency (CL), тактов
52
Напряжение питания, В
1.1
Производитель (Все категории):
Samsung
Основные параметры ((Оперативная память))
Объем памяти 1го модуля (Оперативная память):
8 ГБ
Тип памяти (Оперативная память):
SO-DIMM DDR 5
Количество модулей (Оперативная память):
1 шт
Частота памяти (Оперативная память):
6400 МГц
Дополнительно ((Оперативная память))
Охлаждение ОЗУ (Оперативная память):
Нет
Сообщения не найдены